첨단 파운드리 팹 확장을 위한 패스트트랙 규제 혁신
산업통상자원부는 반도체 초미세 공정의 핵심 장비인 극자외선(EUV) 노광 설비의 안전 승인 및 반입 심사 기간을 기존 34일에서 단 9일로 대폭 단축하는 행정 패스트트랙 조치를 발표했습니다. 이번 정책은 글로벌 반도체 공급망 주도권 경쟁이 심화되는 가운데 국내 주요 제조사들의 신규 팹 건설 및 장비 셋업 공정을 획기적으로 앞당기기 위해 마련되었습니다.
그동안 EUV 노광 장비는 복잡한 방사선 차폐 규정, 고압 가스 취급 설비 검사, 환경 영향 평가 등 여러 유관 기관의 다단계 절차를 거쳐야 했습니다. 정부는 중복 검증 항목을 일원화하고 현장 안전 진단팀을 사전에 투입하여 검증 신뢰성을 유지하면서도 불필요한 행정 대기 기간을 70% 이상 축소했습니다.
고난도 노광 공정 도입과 장비 셋업 타임라인 개선
차세대 HBM 메모리와 2나노급 이하 초미세 GAA 공정 양산 라인에는 수십 대의 EUV 및 High-NA EUV 설비가 순차적으로 반입됩니다. 이번 인허가 단축 조치로 장비 1대당 설치 병목이 해소되어 공장 가동 일정을 수개월 이상 단축할 수 있는 전환점이 마련되었습니다.
차세대 High-NA EUV 선제적 안전 표준 수립
개구수(NA) 0.55 광학계를 채택한 차세대 High-NA EUV 장비의 하중 및 고출력 광원 특성에 맞춘 전용 안전 기준을 사전에 확정하여 차세대 팹의 규제 불확실성을 완전히 해소했습니다.
- 원스톱 현장 합동 심사제 도입으로 통관 직후 가동 승인 연계
- 반도체 특화 클러스터 전담 인허가 지원 데스크 상시 운영
- 펠리클 검사기 및 초정밀 계측 보조 설비까지 패스트트랙 일괄 적용
글로벌 공급망 리드타임 안정화와 산업 경쟁력 강화
EUV 승인 절차 간소화는 설비 투자에 투입되는 조 단위 자본의 회수 속도를 높이고 기술 로드맵 이행을 가속화합니다. 국내 첨단 생산 라인의 신속한 가동은 급증하는 글로벌 AI 칩 수요에 대한 공급 안정성을 공고히 하며 국가 반도체 생태계의 수출 경쟁력을 크게 제고할 것입니다.
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